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rfu ROHM开发成功适于车载环境下使用的SPI接口EEPROM
[ 2008-1-30 11:43:00 | By: Mallory ]
 
  半导体制造商ROHM株式会社最近开发出一种适合车载环境下使用的EEPROM “BR25HXX0系列”(非易失存储器),这种新产品采用世界首创的双单元结构,可以在125℃条件下稳定工作,与SPI BUS兼容。ROHM倡导用双单元结构来实现高可靠性,整个EEPROM产品系列都采用这种新结构。

  而且,这次开发出的样品可以在125℃下稳定工作;静电耐压也达到业界顶级的6kV;在严酷环境下的车载ECU内读出初始数据和写入状态信息都表现出高的可靠性。新的产品系列中根据存储器容量和封装形式的不同共有12款不同型号的产品。

“BR25HXX0系列”的主要优点

  1) 采用双单元结构,可以保证数据的可靠性读写。    

  2) 工作温度范围宽:-40 ~ +125℃

  3) 耐受静电电压高:HBM 6kV( typ.)              

  4) 采用金焊接点和金引线使连接的可靠性更高  

  5) 内置有基于双复位的电源监视功能          

  6) 内置有可高速写入的页写模式

  7) ROHM EEPROM支持SPI BUS,容易替换

  8) 采用SOP8和SOP-J8封装(SOP8 : 6.2mm x 5.0mm x 1.71mm , SOP-J8 : 6.0mm x 4.9mm x 1.75mm )

  近来,车辆的电子设备发展很快,有时会用到数十个ECU在车上各部位起电子控制作用。但是,在车载环境下因发动机启动时产生的电涌、静电、震动、热等等因素,有可能使电子元器件损坏,而且这种危险出现的概率相对较大。所以,在车载环境下用的电子元器件要有高的可靠性。

  ROHM这次开发成功的BR25HXX0系列,样品试验得出的结果是:可以在125℃下稳定工作;静电耐压也达到业界最高的6kV (HBM)。之所以有这些优良的性能,除了其中采用了已经在民用产品中获得好评的双单元结构、金焊接点与金引线连接之外,对电路和工艺过程都做了高冗余度设计,还安排有严格的筛选和调试过程。另外,除了保证在85℃下擦写数据可达100万次之外,还实现了保证在125℃下擦写数据可达30万次,这属业界首创。
 

  相关型号资料:
MRS-2-4CSKGXRA CAT5409BI-00-TE13 XC6203E19ALR  HLMP-UL22 AD7523JN

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